Високоякісні епітаксійні плівки CdZnTe для напівпровідникової оптоелектроніки: синтез і властивості

Автор(и)

  • Любомир Васильович Рашковецький Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарева НАН України, Україна
  • Сергій Володимирович Пляцко Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарева НАН України, Україна
  • Павло Петрович Москвін Житомирський державний технологічний університет, Україна https://orcid.org/0000-0001-5034-8097
  • Володимир Львович Добряков Житомирський державний технологічний університет, Україна https://orcid.org/0000-0002-0367-6220
  • Галина Віталіївна Скиба Житомирський державний технологічний університет, Україна https://orcid.org/0000-0001-8765-8849

DOI:

https://doi.org/10.26642/tn-2018-1(81)-202-209

Ключові слова:

рідиннофазна епітаксія, напівпровідникові плівки CdZnTe, морфологія поверхні, напівширина кривої гойдання, низькотемпературна фотолюмінесценція, мікротвердість

Анотація

Методом рідиннофазної епітаксії отримано високоякісні плівки CdZnTe різного складу. Синтез відбувався при наднизьких температурах (500–530ºС) з телурового розчину. Проаналізовано кінетику росту епітаксійних плівок. Досліджено властивості вирощених плівок методами оптичної мікроскопії, рентгенівської дифрактометрії, Оже-спектроскопії, низькотемпературної фотолюмінесценції. Надано залежність мікротвердості від складу отриманих плівок.

Біографії авторів

Любомир Васильович Рашковецький, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарева НАН України

L.V. Rashkovetskyi

Сергій Володимирович Пляцко, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарева НАН України

S.V. Plyatsko

Павло Петрович Москвін, Житомирський державний технологічний університет

P.P. Moskvin

Володимир Львович Добряков, Житомирський державний технологічний університет

V.L. Dobryakov

Галина Віталіївна Скиба, Житомирський державний технологічний університет

G.V. Skyba

Посилання

Akigiro, K., Tadahisa, O. and Kiyoshi, T. (1975), «Liquid phase epitaxial growth of ZnTe and Zn1-xCdxTe», J. Eleсtrochem. Soc., Vol. 122, No. 8, pp. 1117–1124.

Nishibe, T. and Kobayashi, A. (1982), «Growth of CdTe on CdS polar faces by LPE from Cd solution», Jap. J. Appl. Phys., Vol. 21, No. 2, pр. 395–396.

Sangha, S.P.S., Medland, J.D., Berry, J.A. and Rinn, L.M. (1987), «Low temperature epitaxial growth of cadmium telluride from mercury solvent», J. Cryst. Growth, Vol. 83, No. 1, pр. 127–136.

Babencov, V.N., Zhovnir, G.I. and Rashkoveckij, L.V. (1992), «Strukturnye svojstva i nizkotemperaturnaja fotoljuminescencija plenok tellurida kadmija, poluchennyh metodom zhidkofaznoj jepitaksii», ZhTF, Vol. 62, Part 4, pp. 186–190.

Astles, M., Blackmore, G., Gordon, N. and Wight, D.R. (1985), «The use of alternative solvents for the low-temperature LPE growth of CdTe films», J. Cryst. Growth, Vol. 72, pp. 61–71.

Pelliciari, B., Chamonal, J.B., Destefanis, G.L. and Di Cioccio, L. (1987), «Growth and characterization of LPE CdHgTe /CdZnTe/ CdTe structure», SPIE, Vol. 865, No. 22, рp. 78–81.

Kwak, N.J., Choi, I.H., Lim, S.W. and Sub, S.H. (1994), «Hg0.8Cd0.2Te grown by liquid phase epitaxy using Cd0.94Zn0.06Te buffer layer», J. Cryst. Growth, Vol. 138, pp. 950–955.

Moskvin, P.P., Rashkoveckij, L.V., Sizov, F.F. and Moshnikov, V.A. (2011), «Kogerentnye fazovye ravnovesija v sisteme Zn-Cd-Te i zhidkofaznaja jepitaksija uprugodeformirovannyh sloev tverdyh rastvorov ZnxCd1-xTe», FTP, Vol. 45, Part 7, pp. 865–873.

Singh, A.K. and Sharma, R.C. (1992), «Phase equilibrium calculation of Zn-Cd-Te system», CALPНAD, Vol. 16, No. 2, P. 172.

Haloui, A., Feutelais, Y. and Legendre, B. (1997), «Experimental study of the ternary system Cd-Zn-Te», J. Alloys and Compounds, Vol. 260, pp. 179–192.

Steininger, J., Strauss, A.J. and Brebrick, R.F. (1970), «Phase diagram of the Zn-Cd-Te system», J. Electrochem. Soc., Vol. 117, No. 10, рp. 1305–1309.

Laugier, A. (1973), «Thermopdynamics and phase diagram calculations in II-VI and IV-VI ternary systems using an associated solution model», Revue de Physique Appliquee, Vol. 8, No. 3, рp. 259–270.

Szapiro, S. (1970), «Solid-equilibria in ternary regular associated solutions», J. Electron. Mater., Vol. 5, No. 2, pр. 223–246.

Burton, W.K., Cabrera, N. and Frank, F.C. (1951), «The growth of crystalls and the equilibrium structure of their surfaces», Phil. Trans. Roy. Soc., Vol. 243, No. 866, рp. 299–304.

Chernov, A.A. (2004), «Notes on interfase growth kinetics», 50 Years progress in crystal growth, a reprint collection, in Feigelson, R.S. (ed.), Elsevier, Amsterdam, pp. 47–66.

Lyon, T.D., Roth, J.A., Wu, O.K., Johnson, S.M. and Cockrum, S.A. (1993), «Direct molecular beam epitaxial growth of ZnTe (100) and CdZnTe (100) / ZnTe (100) on Si (100) substrates», Appl. Phys. Lett., Vol. 63, No. 6, pр. 818–820.

Schlesinger, T.E., Toney, J.E., Yoon, H., Lee, E.Y., Branett, B.A. and James, R.B. (2001), «Cadmium zinc telluride and its use as a nuclear radiation detector material», Mater. Sci. and Engineering: R, Vol. 32, pp. 103–189.

Triboulet, R. and Marfain, Y. (1981), «CdTe growth by «multipass thm» and «sublimation thm», J. Cryst. Growth, Vol. 51, pp. 89–94.

Imhoff, D., Zozime, A. and Triboulet, R. (1991), «Zn influence on the plasticity of Cd0.96Zn0.04Te», J. Phys. III, Vol. 1, France, pp. 1841–1853.

Sher, A., Chen, A.-B., Spicer, W.E. and Shin, C.K. (1985), «Effect influencing thе structural integrity of semicomductors and their alloys», J. Vac. Sci. Technol.: A, Vol. 3, рp. 105–111.

##submission.downloads##

Опубліковано

2018-06-21

Як цитувати

Рашковецький, Л. В., Пляцко, С. В., Москвін, П. П., Добряков, В. Л., & Скиба, Г. В. (2018). Високоякісні епітаксійні плівки CdZnTe для напівпровідникової оптоелектроніки: синтез і властивості. Вісник ЖДТУ. Серія "Технічні науки", (1 (81), 202–209. https://doi.org/10.26642/tn-2018-1(81)-202-209

Номер

Розділ

ТЕЛЕКОМУНІКАЦІЇ ТА РАДІОТЕХНІКА. АВТОМАТИЗАЦІЯ ТА КОМП’ЮТЕРНО-ІНТЕГРОВАНІ ТЕХНОЛОГІЇ