Високоякісні епітаксійні плівки CdZnTe для напівпровідникової оптоелектроніки: синтез і властивості
DOI:
https://doi.org/10.26642/tn-2018-1(81)-202-209Ключові слова:
рідиннофазна епітаксія, напівпровідникові плівки CdZnTe, морфологія поверхні, напівширина кривої гойдання, низькотемпературна фотолюмінесценція, мікротвердістьАнотація
Методом рідиннофазної епітаксії отримано високоякісні плівки CdZnTe різного складу. Синтез відбувався при наднизьких температурах (500–530ºС) з телурового розчину. Проаналізовано кінетику росту епітаксійних плівок. Досліджено властивості вирощених плівок методами оптичної мікроскопії, рентгенівської дифрактометрії, Оже-спектроскопії, низькотемпературної фотолюмінесценції. Надано залежність мікротвердості від складу отриманих плівок.Посилання
Akigiro, K., Tadahisa, O. and Kiyoshi, T. (1975), «Liquid phase epitaxial growth of ZnTe and Zn1-xCdxTe», J. Eleсtrochem. Soc., Vol. 122, No. 8, pp. 1117–1124.
Nishibe, T. and Kobayashi, A. (1982), «Growth of CdTe on CdS polar faces by LPE from Cd solution», Jap. J. Appl. Phys., Vol. 21, No. 2, pр. 395–396.
Sangha, S.P.S., Medland, J.D., Berry, J.A. and Rinn, L.M. (1987), «Low temperature epitaxial growth of cadmium telluride from mercury solvent», J. Cryst. Growth, Vol. 83, No. 1, pр. 127–136.
Babencov, V.N., Zhovnir, G.I. and Rashkoveckij, L.V. (1992), «Strukturnye svojstva i nizkotemperaturnaja fotoljuminescencija plenok tellurida kadmija, poluchennyh metodom zhidkofaznoj jepitaksii», ZhTF, Vol. 62, Part 4, pp. 186–190.
Astles, M., Blackmore, G., Gordon, N. and Wight, D.R. (1985), «The use of alternative solvents for the low-temperature LPE growth of CdTe films», J. Cryst. Growth, Vol. 72, pp. 61–71.
Pelliciari, B., Chamonal, J.B., Destefanis, G.L. and Di Cioccio, L. (1987), «Growth and characterization of LPE CdHgTe /CdZnTe/ CdTe structure», SPIE, Vol. 865, No. 22, рp. 78–81.
Kwak, N.J., Choi, I.H., Lim, S.W. and Sub, S.H. (1994), «Hg0.8Cd0.2Te grown by liquid phase epitaxy using Cd0.94Zn0.06Te buffer layer», J. Cryst. Growth, Vol. 138, pp. 950–955.
Moskvin, P.P., Rashkoveckij, L.V., Sizov, F.F. and Moshnikov, V.A. (2011), «Kogerentnye fazovye ravnovesija v sisteme Zn-Cd-Te i zhidkofaznaja jepitaksija uprugodeformirovannyh sloev tverdyh rastvorov ZnxCd1-xTe», FTP, Vol. 45, Part 7, pp. 865–873.
Singh, A.K. and Sharma, R.C. (1992), «Phase equilibrium calculation of Zn-Cd-Te system», CALPНAD, Vol. 16, No. 2, P. 172.
Haloui, A., Feutelais, Y. and Legendre, B. (1997), «Experimental study of the ternary system Cd-Zn-Te», J. Alloys and Compounds, Vol. 260, pp. 179–192.
Steininger, J., Strauss, A.J. and Brebrick, R.F. (1970), «Phase diagram of the Zn-Cd-Te system», J. Electrochem. Soc., Vol. 117, No. 10, рp. 1305–1309.
Laugier, A. (1973), «Thermopdynamics and phase diagram calculations in II-VI and IV-VI ternary systems using an associated solution model», Revue de Physique Appliquee, Vol. 8, No. 3, рp. 259–270.
Szapiro, S. (1970), «Solid-equilibria in ternary regular associated solutions», J. Electron. Mater., Vol. 5, No. 2, pр. 223–246.
Burton, W.K., Cabrera, N. and Frank, F.C. (1951), «The growth of crystalls and the equilibrium structure of their surfaces», Phil. Trans. Roy. Soc., Vol. 243, No. 866, рp. 299–304.
Chernov, A.A. (2004), «Notes on interfase growth kinetics», 50 Years progress in crystal growth, a reprint collection, in Feigelson, R.S. (ed.), Elsevier, Amsterdam, pp. 47–66.
Lyon, T.D., Roth, J.A., Wu, O.K., Johnson, S.M. and Cockrum, S.A. (1993), «Direct molecular beam epitaxial growth of ZnTe (100) and CdZnTe (100) / ZnTe (100) on Si (100) substrates», Appl. Phys. Lett., Vol. 63, No. 6, pр. 818–820.
Schlesinger, T.E., Toney, J.E., Yoon, H., Lee, E.Y., Branett, B.A. and James, R.B. (2001), «Cadmium zinc telluride and its use as a nuclear radiation detector material», Mater. Sci. and Engineering: R, Vol. 32, pp. 103–189.
Triboulet, R. and Marfain, Y. (1981), «CdTe growth by «multipass thm» and «sublimation thm», J. Cryst. Growth, Vol. 51, pp. 89–94.
Imhoff, D., Zozime, A. and Triboulet, R. (1991), «Zn influence on the plasticity of Cd0.96Zn0.04Te», J. Phys. III, Vol. 1, France, pp. 1841–1853.
Sher, A., Chen, A.-B., Spicer, W.E. and Shin, C.K. (1985), «Effect influencing thе structural integrity of semicomductors and their alloys», J. Vac. Sci. Technol.: A, Vol. 3, рp. 105–111.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2020 Любомир Васильович Рашковецький, Сергій Володимирович Пляцко, Павло Петрович Москвін, Володимир Львович Добряков, Галина Віталіївна Скиба
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Автор, який подає матеріали до друку, зберігає за собою всі авторські права та надає відповідному виданню право першої публікації, дозволяючи розповсюджувати даний матеріал із зазначенням авторства та джерела первинної публікації, а також погоджується на розміщення її електронної версії на сайті Національної бібліотеки ім. В.І. Вернадського та у відкритому доступі в електронному архіві університету та на сайті журналу.
