Автомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAs
DOI:
https://doi.org/10.26642/tn-2018-2(82)-232-240Ключові слова:
гетероструктури на основі напівпровідників класу А3В5, спінодальний розпад, модель розпаду Канна-Хілларда, автомодуляція складу твердого розчинуАнотація
Рівняння Канна-Хілларда, що раніше отримане для опису процесу розпаду металевихтвердих розчинів заміщення, адаптовано для опису процесу спінодального розпаду
напівпровідникових твердих розчинів виду V
C
III
B
III
Ax 1 x . Отримане диференціальне рівняння
розпаду матеріалу застосовується для опису ефекту автомодуляціі складу, який
спостерігається при синтезі гетероструктур GахIn1-хР – GaAs. Зазначені гетерокомпозіції
використовуються в якості активних середовищ сучасних оптоелектронних приладів.
Виконано чисельне моделювання процесу спінодального розпаду твердого розчину GахIn1-хР .
Знайдено інтервали термодинамічних параметрів технологічного процесу синтезу структур, в
яких ефект автомодуляціі складу повинен проявлятися найвиразніше. Результати кількісного
аналізу зіставляються з експериментальними даними.
Посилання
Maksymov, S.K., Bondarenko, L.A., Kuznetsov, V.V. and Petrov, A.S. (1982), «Yavlenye avtomodulyacyi sostava epytaksyalnix plenok v processe krystallyzacyi iz zhidkoi fazi», FTT, Vol. 24, No. 2, Pp.628–631.
Casey, H.C. and Panish, M.B. (1978), Heterostructure lasers. Part B: Materials & operating characteristics. Academic press: N.-Y., San Francisco, London, 365 p.
Kazakov, A.Y. and Shapovalov, G.V. (2016), «Osobennosty modelirovaniya oblastei sosushhestvovaniya faz mnogokomponentnix system na osnove soedinenii A3B5», 17-ya mezhdunar. nauchno-prakt. konf. «Sovremennіe informacionnie I elektronnie texnologiy», SIET-2016, Odessa, 23–27 maya, Pp. 224–225.
Hachaturyan, A.G. (1974), Teoriya fazovix prevraschenyi i struktura tverdix rastvorov, Nauka, M., 383 p.
Cann, J.W. (1961), «On spinodal decomposition», Acta Metallurgica, Vol. 9, Pp. 81–87.
Cann, J.W.and Hillard, J.E (1958), «Free energy of nonuniform system. I. Interfacial free energy», J. Chemical Physics, Vol. 28, No. 2, Pp. 258–267.
Henoc, P., Izrael, A., Ouillec, M.and Launois, A.V. (1982), «High mobility in liquid liquid phase epitaxial InGaAsP free of composition modulation», Appl. Phys Lett., Vol. 40, No. 11, Pp. 963–965.
Kuznetsov, V.V., Moskvin, P.P. and Sorokin, V.S. (1991), Nonequilibrium phenomena during liquid semiconductors solid solution heteroepitaxy, Metallurgiya, Moskow, 174 p.
Ouillec, M., Benchimol, J.L., Slempkes, S.and Launois, H. (1983), «High mobility in liquid liquid phase epitaxial InGaAsP free of composition modulation», Appl. Phys. Lett., Vol. 42, No. 10, Pp. 886–887.
Kuznetsov, V.V., Moskvin, P.P. and Sorokin, V.S. (1988), «Coherent phase diagram and interface relaxations processes during LPE of A3B5 solid solutions», J.Crystal Growth, Vol. 88, Pp. 241–262.
Maksimov, S.K. (1980), Tez. Symp. «Prymenenye novyx texnno-spektroskopycheskyx metodov v texnologiy, krystallografii i myneralogiy», Moskwa, Inst. Krystallografii RAN, p. 122.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2020 Павло Петрович Москвін, Сергій Іванович Скуратівський
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Автор, який подає матеріали до друку, зберігає за собою всі авторські права та надає відповідному виданню право першої публікації, дозволяючи розповсюджувати даний матеріал із зазначенням авторства та джерела первинної публікації, а також погоджується на розміщення її електронної версії на сайті Національної бібліотеки ім. В.І. Вернадського та у відкритому доступі в електронному архіві університету та на сайті журналу.
