DOI: https://doi.org/10.26642/tn-2018-2(82)-232-240

Автомодуляційний режим кристалізації в технології низькотемпературного синтезу гетероструктур GахIn1-хР- GaAs

Павло Петрович Москвін, Сергій Іванович Скуратівський

Анотація


Рівняння Канна-Хілларда, що раніше отримане для опису процесу розпаду металевих
твердих розчинів заміщення, адаптовано для опису процесу спінодального розпаду
напівпровідникових твердих розчинів виду V
C
III
B
III
Ax 1 x  . Отримане диференціальне рівняння
розпаду матеріалу застосовується для опису ефекту автомодуляціі складу, який
спостерігається при синтезі гетероструктур GахIn1-хР – GaAs. Зазначені гетерокомпозіції
використовуються в якості активних середовищ сучасних оптоелектронних приладів.
Виконано чисельне моделювання процесу спінодального розпаду твердого розчину GахIn1-хР .
Знайдено інтервали термодинамічних параметрів технологічного процесу синтезу структур, в
яких ефект автомодуляціі складу повинен проявлятися найвиразніше. Результати кількісного
аналізу зіставляються з експериментальними даними.

Ключові слова


гетероструктури на основі напівпровідників класу А3В5; спінодальний розпад; модель розпаду Канна-Хілларда; автомодуляція складу твердого розчину

Повний текст:

PDF

Посилання


Maksymov, S.K., Bondarenko, L.A., Kuznetsov, V.V. and Petrov, A.S. (1982), «Yavlenye avtomodulyacyi sostava epytaksyalnix plenok v processe krystallyzacyi iz zhidkoi fazi», FTT, Vol. 24, No. 2, Pp.628–631.

Casey, H.C. and Panish, M.B. (1978), Heterostructure lasers. Part B: Materials & operating characteristics. Academic press: N.-Y., San Francisco, London, 365 p.

Kazakov, A.Y. and Shapovalov, G.V. (2016), «Osobennosty modelirovaniya oblastei sosushhestvovaniya faz mnogokomponentnix system na osnove soedinenii A3B5», 17-ya mezhdunar. nauchno-prakt. konf. «Sovremennіe informacionnie I elektronnie texnologiy», SIET-2016, Odessa, 23–27 maya, Pp. 224–225.

Hachaturyan, A.G. (1974), Teoriya fazovix prevraschenyi i struktura tverdix rastvorov, Nauka, M., 383 p.

Cann, J.W. (1961), «On spinodal decomposition», Acta Metallurgica, Vol. 9, Pp. 81–87.

Cann, J.W.and Hillard, J.E (1958), «Free energy of nonuniform system. I. Interfacial free energy», J. Chemical Physics, Vol. 28, No. 2, Pp. 258–267.

Henoc, P., Izrael, A., Ouillec, M.and Launois, A.V. (1982), «High mobility in liquid liquid phase epitaxial InGaAsP free of composition modulation», Appl. Phys Lett., Vol. 40, No. 11, Pp. 963–965.

Kuznetsov, V.V., Moskvin, P.P. and Sorokin, V.S. (1991), Nonequilibrium phenomena during liquid semiconductors solid solution heteroepitaxy, Metallurgiya, Moskow, 174 p.

Ouillec, M., Benchimol, J.L., Slempkes, S.and Launois, H. (1983), «High mobility in liquid liquid phase epitaxial InGaAsP free of composition modulation», Appl. Phys. Lett., Vol. 42, No. 10, Pp. 886–887.

Kuznetsov, V.V., Moskvin, P.P. and Sorokin, V.S. (1988), «Coherent phase diagram and interface relaxations processes during LPE of A3B5 solid solutions», J.Crystal Growth, Vol. 88, Pp. 241–262.

Maksimov, S.K. (1980), Tez. Symp. «Prymenenye novyx texnno-spektroskopycheskyx metodov v texnologiy, krystallografii i myneralogiy», Moskwa, Inst. Krystallografii RAN, p. 122.


Пристатейна бібліографія ГОСТ


  1. Явление автомодуляции состава эпитаксиальных пленок в процессе кристаллизации из жидкой фазы / С.К. Максимов, Л.А. Бондаренко, В.В. Кузнецов, А.С. Петров // ФТТ. – 1982.– Т. 24. – Вып. 2. – С. 628–631.
  2. Casey H.C. Heterostructure lasers. Part B: Materials & operating characteristics / H.C. Casey, М.B. Panish. – N.-Y. : San Francisco, London. : Academic press, 1978. – 365 p.
  3. Казаков А.И. Особенности моделирования областей сосуществования фаз многокомпонентных систем на основе соединений A3B5 / А.И. Казаков, Г.В. Шаповалов // 17-я междунар. научно-практ. конф. «Современные информационные и электронные технологии, СИЭТ-2016», Одесса, 23–27 мая 2016. – С. 224–225.
  4. Хачатурян А.Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов / А.Г. Хачатурян. – М. : Наука, 1974. – 383 с.
  5. Cahn J.W. On spinodal decomposition / J.W. Cahn // Acta Metallurgica. – 1961. – Vol. 9. – Рр. 81–87.
  6. Cahn J.W. Free energy of nonuniform system. I. Interfacial free energy / J.W. Cahn, J.E. Hillard // J. Chemical Physics. – 1958.– Vol. 28 – № 2 –Pp. 258–267.
  7. Composition modulation in liquid phase epitaxial InGaAsP layers lattice matched to InP substrates / P.Henoc, A.Izrael, M.Ouillec, A.V. Launois // Appl. Phys Lett. – 1982. – Vol. 40. – № 11. – Pp. 963–965.
  8. Кузнецов В.В. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов / В.В. Кузнецов, П.П. Москвин, В.С. Сорокин. – М. : Металлургия, 1991. – 174 с.
  9. High mobility in liquid liquid phase epitaxial InGaAsP free of composition modulation / M.Ouillec, J.L. Benchimol, S.Slempkes, H.Launois // Appl. Phys. Lett. – 1983. – Vol. 42. – № 10. – Pp. 886–887.
  10. Kuznetsov V.V. Coherent phase diagram and interface relaxations processes during LPE of A3B5 solid solutions / V.V. Kuznetsov, P.P. Moskvin, V.S. Sorokin // J.Crystal Growth. – 1988. – Vol. 88. – Pp. 241–262.
  11. Максимов С.К. Тез. Симп. «Применение новых электронно-спектроскопических методов в технологии, кристаллографии и минералогии» / С.К. Максимов. – Ин-т кристаллографии РАН., Москва. – 1980. – C. 122.




Copyright (c) 2020 Павло Петрович Москвін, Сергій Іванович Скуратівський

Ліцензія Creative Commons
Це видання ліцензовано за ліцензією Creative Commons Із Зазначенням Авторства - Некомерційна 4.0 Міжнародна.