РЕЗУЛЬТАТИ ДОСЛІДЖЕНЬ ЕЛЕКТРОФІЗИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК  КРЕМНІЄВИХ ЛАВИННО-ПРОЛІТНИХ ДІОДІВ

Віктор Сергійович Сліпокуров

doi:10.26642/tn-2014-1(68)-97-101

Автор(и)

Віктор Сергійович Сліпокуров Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна

DOI:

https://doi.org/10.26642/tn-2014-1(68)-97-101

Ключові слова:

лавинно-пролітний діод, вольт-амперна характеристика, Si, SiC, GaAs, InP, терагерцовий діапазон, дифузія, генерація

Анотація

Систематизовано конструкції лавинно-пролітних діодів надвисокочастотного діапазону хвиль за типом модифікації пролітної області. Показані результати як отриманих вихідних параметрів напівпровідникових приладів на основі Si, SiC, GaAs, так і теоретично можливі, включно з діодами на основі InP. Отримані значення вказують на перевагу кремнієвої технології конструювання лавинно-пролітних діодів як таку, що станом на сьогодні є найбільш вивчена та запроваджена у виробництві. Такі результати порівнюються з іншими вихідними значеннями напівпровідникових приладів, зокрема з діодами на основі матеріалів групи А³В⁵. Дослідження проводиться шляхом вимірювання прямої та зворотної гілок вольт-амперної характеристики (ВАХ). Визначені механізми струмопротікання через p-n-перехід кремнієвого лавинно-пролітного діоду на прямій ВАХ.

Посилання

Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices, 3rd Edition / S.M. Sze, K.Ng Kwok. – A John Wiley & Sons, Inc., publication. – 2007. – 789 р.

Bowers H.S. Space-charge-induced negative resistance in avalanche diodes / H.S. Bowers // IEEE Trans. Electron. Dev. – 1986. – Vol. ED-15, N 6. – Pр. 343–350.

Tschernitz M. 140 GHz GaAs double-Read IMPATT diodes / M. Tschernitz, J. Freyer // Electronics Letters. – 1995. – Vol. 31. – No. 7. – Pр. 582–583.

Studies on optical modulation of III-V GaN and InP based DDR IMPATT diode at sub-millimeter wave frequency / Soumen Banerjee et al. // Internatinal Journal of Engineering Science and Technology. – 2010. – Vol. 2(7). – Pр. 2790–2801.

Eisele H. Two-Terminal Millimeter-Wave Sources / H.Eisele, G.Haddad // IEEE trans¬actions on microwave theory and techniques. – 1998. – Vol. 46. – No. 6. – P. 739–745.

Lutz J. IMPATT oscillations in fast recovery diodes due to temporarily charged radiation-induced deep levels / J.Lutz, W.Sudkamp, W.Gerlach // Solid-State Electronics. – 1998. – Vol. 42. – No. 6. – Pр. 931–938.

De P. Epitaxial layer induced series resistance and microwave properties of N+NP+.

De P. Si X band IMPATT diodes / P.De // Microelectronics Journal. – 2006. – Vol. 37. – Pр. 786–791.

Zemliak A. Numerical analysis of a double avalanche region IMPATT diode on the basis of nonlinear model / A.Zemliak, R.Cruz // Microelectronics Reliability. – 2006. – Vol. 46. – P. 293–300.

Computer simulation study on the noise and millimeter wave properties of InP : GaInAs heterojunction double avalanche region IMPATT diode / J.K. Mishra, G.N. Dash, S.R. Pattanaik et al. // Solid-State Electronics. – 2004. – Vol. 48. – Pр. 401–408.

Haddad G.I. Microwave Solid-State Active Devices / Haddad G.I., Trew R.J. // IEEE MTT. – 2002. – V. 50, N 3. – Рp. 760.

Влияние перегрева p-n-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов / А.Е. Беляев, В.В. Басанец, Н.С. Болтовец и др.// ФТП. – 2011. – Т. 45. – № 2. – С. 256–262.

Грехов И.В. Лавинный пробой p-n-перехода в полупроводниках / И.В. Грехов, Ю.Н. Сережкин. – Ленинград : Энергия, 1980. – 146 с.

Кремниевые диффузионные диоды с вольт-амперными характеристиками, близкими к идеальными / Н.С. Болтовец, К.А. Исмайков, Р.В. Конакова и др. // ЖТФ. – 1998. – Т. 68, № 10. – С. 131–132.