КАТОДНІ КОНТАКТИ З ДИФУЗІЙНИМИ БАР’ЄРАМИ TiBx ДЛЯ ДІОДІВ ГАННА НА ОСНОВІ InP

Сергій Вадимович Новицький

doi:10.26642/tn-2014-4(71)-53-56

Автор(и)

Сергій Вадимович Новицький Житомирський державний університет імені Івана Франка, Україна

DOI:

https://doi.org/10.26642/tn-2014-4(71)-53-56

Ключові слова:

омічний контакт, діод Ганна, фосфід індію, швидка температурна обробка, γ-опромінення, борид титану, мікрохвильова обробка

Анотація

Досліджуються фізичні процеси, що відбуваються під дією зовнішніх впливів у багатошарових омічних контактах до n-InP з дифузійним бар'єром TiB_x. Як зовнішні впливи використовувалися мікрохвильова обробка, швидка термічна обробка (ШТО) та γ-опромінення ⁶⁰Со. Встановлено, що омічні контакти Au-TiB_x-Ge-Au-n-n⁺-n⁺⁺-InP, що сформовані магнетронним напиленням з наступною ШТО при температурі 450 °С, зберігають свою структуру і величину питомого контактного опору при робочих температурах діода Ганна. Вперше була отримана зростаюча температурна залежність питомого контактного опору омічного контакту Au-Ge-TiB_x-Au до n-n⁺-n⁺⁺-InP в діапазоні температур 80–380 К, яка була пояснена струмопроходженням по металевих шунтах, що проросли крізь дислокації і замикають ОПЗ, з урахуванням обмеження протікаючого струму дифузійним підведенням електронів.

Посилання

Eisele H. Submillimeter-Wave InP Gunn Devices / H.Eisele, R.Kamoua // IEEE Trans. Microw. Theory Techn. – 2004. – V. 52, № 10. – P. 2371–2378.

High Power Gunn Diode Oscillators / M.Gaskill, D.Headland, J.Higginbotham at ol. – Department of Electrical Engineering and Electronics, UMIST. – 2003 . – 95 p.

Новицкий С.В. Омические контакты к фосфиду индия / С.В. Новицкий // Петербургский журнал электрон. – 2012. – № 1. – С. 24–40.

Шеремет В.Н. Метрологические аспекты измерения сопротивления омических контактов / В.Н. Шеремет // Изв. высш. учеб. завед. Радиоэлектроника. — 2010. — Т. 53, № 3. — С. 3–12.

Новицкий С.В. Методологические аспекты измерения удельного контактного сопротивления TLM методом с линейной и радиальной геометрией контактов / С.В. Новицкий // Петерб. журн. эл. — 2013. — № 3. — С. 59–70.

Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов / О.А. Агеев, А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец и др. – Х. : НТК «Институт монокристаллов», 2008. – 385 с.

Пат. 61621 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників / О.Є. Бєляєв, М.С. Болтовець, Р.В. Конакова, В.В. Мілєнін, Я.Я. Кудрик, В.М. Шеремет, С.В. Новицький ; заявник та право¬власник ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ. — № u 2010 15698 ; заявл. 27.12.2010 ; опубл. 25.07.2011, Бюл. № 14.

Пат. 65725 Україна, МПК Н01L 21/66. Спосіб контролю якості котодного контакту діодів Ганна / О.Є. Бєляєв, В.М. Іванов, Г.М. Веремійченко, В.М. Ковтонюк, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, В.В. Мілєнін, В.М. Шеремет, С.В. Новицький, О.В. Бобиль, І.С. Тарасов, І.М. Арсєнтьєв ; заявник та правовласник ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ. — № u 2011 06930 ; заявл. 01.06.2011 ; опубл. 12.12.2011, Бюл. № 23.

Пат. 83664 Україна, МПК Н01L 21/268. Спосіб створення омічного контакту до InP та GaAs / О.Є. Бєляєв, О.В. Бобиль, В.М. Іванов, Р.В. Конакова, Я.Я. Кудрик, С.В. Новицький, А.В. Саченко ; заявник та правовласник ІФН ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ. — № u 2013 03026 ; заявл. 11.03.2013 ; опубл. 25.09.2013, Бюл. № 18.

Millimetre wave Gunn diode technology and applications / N.Priestley, N.Farrington : UK Automated RF & Microwave Measurm. Soc. Conf. (Milton Hill House, London, England, 19–20 April 2010). – London, 2010. – P. 1–10.