ОСОБЛИВОСТІ СИНТЕЗУ СТРУКТУР НА ОСНОВІ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ ZnCdTe МЕТОДОМ ВАКУУМНОГО АНОДНОГО НАПИЛЕННЯ

Валентин Анатолійович Рудніцький; Павло Петрович Москвін

doi:10.26642/tn-2014-4(71)-106-113

Автор(и)

Валентин Анатолійович Рудніцький Житомирський державний технологічний університет, Україна https://orcid.org/0000-0002-4360-0028
Павло Петрович Москвін Житомирський державний технологічний університет, Україна https://orcid.org/0000-0001-5034-8097

DOI:

https://doi.org/10.26642/tn-2014-4(71)-106-113

Ключові слова:

анодне напилення, комірка Кнудсена, діаграми направленості, телурид кадмію, мультифрактальний аналіз

Анотація

Описаний ефективний метод отримання надтонких шарів – вакуумне анодне випаровування. Промислову установку для вакуумного напилення УРМ 3.279.014 адаптовано для синтезу надтонких шарів напівпровідникових твердих розчинів системи ZnCdTe. Досліджено умови функціонування випаровувача, який формує потоки речовини до зони синтезу. Розглянуто випадки, коли електрони діють безпосередньо на його робочу поверхню і є джерелом основного матеріалу, та випадок, коли емітовані електрони розігрівають стінки випаровувача (випаровувач працює як комірка Кнудсена). Також отримані дані за параметрами функціонування випаровувачів у цих умовах. Досліджені потоки пари в напрямі підкладки. Кількісна характеристика поверхні шарів здійснювалася з використанням методів мультифрактального аналізу. В роботі доводиться, що використання квазірівноважних умов випаровування призводить до стабілізації товщини шарів, які синтезуються, та надаються рекомендації щодо використання досліджених умов роботи випаровувачів.

Посилання

Когерентные фазовые равновесия в системе Zn-Cd-Te и жидкофазная эпитаксия упругодеформированных слоев твердых растворов ZnxCd1-xTe / П.П. Москвин, Л.В. Рашковецкий, Ф.Ф. Сизов та ін. // Физика и техника полупроводников. – 2011. – Вып. 7. – Т. 45. – С. 865–873.

Mid-IR impurity absorption in As2S3 chalcogenide glasses doped with transitions metals / Р.Paiuk, A.V. Stronski, N.V. Vuichyk at ol. // Semiconductor Physics, Opto-& Quantum Electronics. – 2012. – № 2. – V. 15. – P. 152–156.

Vacuum Deposition of the thin Layes of ZnCdTe Solid Solutions on Nonoriented Substrates / V.A. Rudnitskyi, L.V. Rashkovetskyi, P.P. Moskvin at ol. // Physics and Technology of thin films and Nanosystems : Materials of XIV International Conference ICPTTFN-XIV (Ivano-Frankivsk, Ukraine). – 2013. – P. 147.

Moskvin P.P. Application of the polyassociative solutions model to determine phase equilibrium in multicomponent A2B6 semiconductor systems and ternery magnetic oxide systems / Р.Р. Moskvin, G.Olchowik, J.M. Olchowik // Journal of Crystal Growth. – 2013. – V. 363. – Р. 195–204.

Мультифрактальная параметризация пространственных форм на поверхности гетерокомпозиций ZnxCd1-xTe – Si (111) и ее взаимосвязь с условиями синтеза слоев / П.П. Москвин, В.Б. Крыжановский, Л.В. Рашковецкий та ін. // Журн. физич. химии. – 2014. – № 7–8. – T. 88.– С. 1194–1200.

Multifractal analysis of areas of spatial forms on surface of ZnxCd1_xTe–Si (111) heterocompositions / Р.Moskvin, V.Kryzhanivskyy, L.Rashkovetskyi // J. Crystal Growth. – 2014. – V. 404. – Р. 204–209.

Математичне моделювання мультифрактальних станів поверхні напівпровідникових структур ZnCdTe – кремнійова підкладка / П.П. Москвін, В.Б. Крижанівський, С.А. Омелянчук та ін. // Вісник ЖДТУ ; Серія : Технічні науки. – 2013. – № 2 (65). – С. 106.