ФОРМУВАННЯ ОМІЧНИХ КОНТАКТІВ ДО НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК A3N
DOI:
https://doi.org/10.26642/tn-2014-1(68)-102-106Ключові слова:
тринітриди, GaN, AlN, InN, омічний контакт, механізм струмопереносуАнотація
Розглянуто процес формування омічних контактів до перспективних напівпровідникових сполук А3N: GaN, AlN, InN. Досліджено структурні й електрофізичні параметри контактних структур Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN та Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Виявлено і досліджено механізм струмопереносу по провідних дислокаціях з дифузійним обмеженням носіїв струму.
Посилання
Feng Z.C. III-nitride semiconductor materials / Z.C. Feng. – Imperial College Press, Singapore, 2006. – 428 p.
Давыдов В.Ю. Электронные и колебательные состояния InN и твердых растворов InxGa1-xN / В.Ю. Давыдов, А.А. Клочихин // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т. 38, № 8. – С. 897–936.
Handbook Series on Semiconductor Parameters vol. 1,2 / edited by M.Levinstein, S.Rumyantsev, M.Shur. – World Scientific, London, 1996. – 1999 р.
Kamata H. Single-crystal growth of aluminum nitride on 6H-SiC substrates by an open-system sublimation method / H.Kamata, K.Naoe, K.Sanada, N.Ichinose // J. Cryst. Growth. – 2009. – V. 311. – Pр. 1291–1295.
Annaig D. Gallium nitride bulk crystal growth processes: a review / D.Annaig, G.Graziella, D.Gerard // Mat. Sci. Eng. R. – 2006. – V. 50, N 6. – Pр. 167–194.
Бланк Т.В. Механизмы протекания тока в омических контактах металл—полупроводник : обзор / Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг // ФТП. – 2007. – Т. 41, № 11. – C. 1281–1308.
Васильев А.Г. СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках / А.Г. Васильев, Ю.В. Колковский, Ю.А. Концевой. – М. : Техносфера, 2011. – 256 с.
Шеремет В.Н. Особенности создания и электрофизические свойства омических контактов к нитриду галлия : обзор / В.Н. Шеремет // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2009. – Т. 44. – С. 41–59.
Noor Mohammad S. Contact mechanisms and design principles for alloyed ohmic contacts to n-GaN / S.Noor Mohammad // J. Appl. Phys. – 2004. – V. 95, N 12. – Pр. 7940–7953.
Жиляев Ю.В. Рост слоев нитрида галлия методом хлоридной газофазной эпитаксии при пониженной температуре источника / Ю.В. Жиляев, С.Н. Родин // Письма в журнал технической физики. – 2010. – Т. 36, № 9. – С. 11–16.
Шеремет В.Н. Метрологические аспекты измерения сопротивления омических контактов / В.Н. Шеремет // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2010. – Т. 53, № 3. – С. 3–12.
Mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density /A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets at al. // Journal of Applied Physics. – 2012. – V. 111, N 8.
Зеегер К. Физика полупроводников / К.Зеегер. – М. : Мир, 1977. – 629 с.
##submission.downloads##
Опубліковано
Як цитувати
Номер
Розділ
Ліцензія
Авторське право (c) 2020 Володимир Миколайович Шеремет, Павло Олегович Сай
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License.
Автор, який подає матеріали до друку, зберігає за собою всі авторські права та надає відповідному виданню право першої публікації, дозволяючи розповсюджувати даний матеріал із зазначенням авторства та джерела первинної публікації, а також погоджується на розміщення її електронної версії на сайті Національної бібліотеки ім. В.І. Вернадського та у відкритому доступі в електронному архіві університету та на сайті журналу.
