ФОРМУВАННЯ ОМІЧНИХ КОНТАКТІВ ДО НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК A3N

Автор(и)

  • Володимир Миколайович Шеремет Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна
  • Павло Олегович Сай Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України, Україна

DOI:

https://doi.org/10.26642/tn-2014-1(68)-102-106

Ключові слова:

тринітриди, GaN, AlN, InN, омічний контакт, механізм струмопереносу

Анотація

Розглянуто процес формування омічних контактів до перспективних напівпровідникових сполук А3N: GaN, AlN, InN. Досліджено структурні й електрофізичні параметри контактних структур Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN, Au-Pd-Ti-Pd-n-AlN та Au-Pt-Ti-n-InN/GaN/Al2O3. Виявлено і досліджено механізм струмопереносу по провідних дислокаціях з дифузійним обмеженням носіїв струму.

Посилання

Feng Z.C. III-nitride semiconductor materials / Z.C. Feng. – Imperial College Press, Singapore, 2006. – 428 p.

Давыдов В.Ю. Электронные и колебательные состояния InN и твердых растворов InxGa1-xN / В.Ю. Давыдов, А.А. Клочихин // Физика и техника полупроводников. – 2004. – Т. 38, № 8. – С. 897–936.

Handbook Series on Semiconductor Parameters vol. 1,2 / edited by M.Levinstein, S.Rumyantsev, M.Shur. – World Scientific, London, 1996. – 1999 р.

Kamata H. Single-crystal growth of aluminum nitride on 6H-SiC substrates by an open-system sublimation method / H.Kamata, K.Naoe, K.Sanada, N.Ichinose // J. Cryst. Growth. – 2009. – V. 311. – Pр. 1291–1295.

Annaig D. Gallium nitride bulk crystal growth processes: a review / D.Annaig, G.Graziella, D.Gerard // Mat. Sci. Eng. R. – 2006. – V. 50, N 6. – Pр. 167–194.

Бланк Т.В. Механизмы протекания тока в омических контактах металл—полупроводник : обзор / Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг // ФТП. – 2007. – Т. 41, № 11. – C. 1281–1308.

Васильев А.Г. СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках / А.Г. Васильев, Ю.В. Колковский, Ю.А. Концевой. – М. : Техносфера, 2011. – 256 с.

Шеремет В.Н. Особенности создания и электрофизические свойства омических контактов к нитриду галлия : обзор / В.Н. Шеремет // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. – 2009. – Т. 44. – С. 41–59.

Noor Mohammad S. Contact mechanisms and design principles for alloyed ohmic contacts to n-GaN / S.Noor Mohammad // J. Appl. Phys. – 2004. – V. 95, N 12. – Pр. 7940–7953.

Жиляев Ю.В. Рост слоев нитрида галлия методом хлоридной газофазной эпитаксии при пониженной температуре источника / Ю.В. Жиляев, С.Н. Родин // Письма в журнал технической физики. – 2010. – Т. 36, № 9. – С. 11–16.

Шеремет В.Н. Метрологические аспекты измерения сопротивления омических контактов / В.Н. Шеремет // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2010. – Т. 53, № 3. – С. 3–12.

Mechanism of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density /A.V. Sachenko, A.E. Belyaev, N.S. Boltovets at al. // Journal of Applied Physics. – 2012. – V. 111, N 8.

Зеегер К. Физика полупроводников / К.Зеегер. – М. : Мир, 1977. – 629 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-11-26

Як цитувати

Шеремет, В. М., & Сай, П. О. (2014). ФОРМУВАННЯ ОМІЧНИХ КОНТАКТІВ ДО НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК A3N. Вісник ЖДТУ. Серія "Технічні науки", (1(68), 102–106. https://doi.org/10.26642/tn-2014-1(68)-102-106

Номер

Розділ

Прилади